物質名

図 Na8Ga5.70Si40.30の単結晶と結晶構造
Na8Ga5.70Si40.30
結晶構造
cubic, a = 10.3266(2) Å, space group: Pm-3n, (No. 223)
特徴
Ga とNaの自己フラックスからNaを蒸発させることにより三元系type-I clathrate Na8Ga5.70Si40.30の単結晶が作製された。抵抗率は300 Kで1.40 mΩ·cmで、金属的な温度依存性が示された。
応用例
導電体
発表論文
Hironao Urushiyama, Haruhiko Morito, Hisanori Yamane, Masami Terauchi
“Na-Ga-Si type-I clathrate single crystals grown via Na evaporation using Na-Ga and Na-Ga-Sn fluxes”
RSC Advances, 8(71), 40505-40510, (2018)